SI4842BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4842BDY-T1-E3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 28A 8SO |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.48 |
10+ | $2.226 |
100+ | $1.7892 |
500+ | $1.47 |
1000+ | $1.218 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3650 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI4842 |
SI4842BDY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI4842BDY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
VISHAY SOP-8
RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
RF RX AM/FM 504KHZ-1.75MHZ SSOP
VISHAY SOP
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
BOARD EVAL SI4844-B
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4842BDY-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|